GTEM小室是根據(jù)同軸及非對(duì)稱矩陣傳輸線原理設(shè)計(jì)而成的測(cè)試系統(tǒng)。其輸入端采用N型同軸接頭，隨后中心導(dǎo)體展平成為一塊扇形板，稱為芯板，與底板共同構(gòu)成特定的結(jié)構(gòu)。當(dāng)信號(hào)源經(jīng)過放大后通過N型同軸接頭注入到GTEM小室的一端時(shí)，能在芯板和底板之間形成很強(qiáng)的均勻電磁場(chǎng)。并且電場(chǎng)強(qiáng)度與從N型接頭輸入信號(hào)電壓V成正比，與芯板距底板垂直距離h成反比，即E=V/h；在50Ω匹配的系統(tǒng)中，芯板對(duì)底板的電壓與N型接頭的信號(hào)輸入功率之間也有明確關(guān)系。
 

　　為了避免內(nèi)部電磁波的反射和諧振，GTEM小室在外形上被設(shè)計(jì)成尖形(錐形)，同時(shí)在腔體的末端還安放了吸波材料，端面也貼有吸波材料，用于進(jìn)一步吸收發(fā)射到末端的電磁波。放置在被測(cè)件附近的電場(chǎng)監(jiān)視探頭可監(jiān)測(cè)該場(chǎng)強(qiáng)，再經(jīng)由計(jì)算機(jī)得到輸入功率值，從而直接調(diào)節(jié)信號(hào)源以達(dá)到所需求的場(chǎng)強(qiáng)值。
 

　　GTEM小室優(yōu)點(diǎn)：
 

　　1.頻率范圍廣：其頻率可從直流至數(shù)GH以上，能滿足不同頻率下的測(cè)試需求。
 

　　2.內(nèi)部可用場(chǎng)區(qū)大：相比一些其他測(cè)試設(shè)備，GTEM小室的內(nèi)部空間較大，提供了更大的可用場(chǎng)區(qū)，便于放置不同尺寸的被測(cè)物體。
 

　　3.對(duì)被測(cè)物體限制少：對(duì)被測(cè)物體大小的限制與頻率無關(guān)，不像某些傳統(tǒng)測(cè)試方法會(huì)因頻率變化而對(duì)被測(cè)物尺寸有所制約。
 

　　4.造價(jià)相對(duì)較低：總體造價(jià)較為親民，能夠?yàn)槎鄶?shù)企業(yè)所接受，降低了企業(yè)的測(cè)試成本。
 

　　5.測(cè)試功能強(qiáng)大：既可以用于電磁輻射敏感度的測(cè)量，也可進(jìn)行電磁輻射干擾的測(cè)試，為電磁兼容的測(cè)試與評(píng)估提供了強(qiáng)有力的手段。
 

　　6.測(cè)試效率高、精度高、重現(xiàn)性好：GTEM測(cè)試更快速，且精度較高，實(shí)驗(yàn)結(jié)果的重現(xiàn)性好，能保證測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性和有效性。
 

　　7.環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)：使用時(shí)對(duì)外界環(huán)境無特殊要求，繼承了非對(duì)稱式TEM小室損耗小、場(chǎng)強(qiáng)均勻、場(chǎng)強(qiáng)準(zhǔn)確可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，還吸取了無反射室可測(cè)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。